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  • 化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

    從實驗可知,用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好,得到的腐蝕圖像清晰、準確。且最佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來,單晶材料晶體生
    發布時間:2019-12-09   點擊次數:8

  • 藍寶石晶體定向外界條件變化容易造成晶格排列錯位

    藍寶石晶體(0001)面和(1120)面的位錯腐蝕坑呈現不同的形狀是由晶體所屬的點群和晶體結構所決定的。化學腐蝕劑的作用就是破壞晶體內部分子或原子間相互作用鍵,鍵合力較小的首先被破壞。而在晶體生長過程中位錯也主要產生在相互鍵合較弱的分子或原
    發布時間:2019-12-02   點擊次數:9

  • 單晶定向用NaOH對藍寶石進行化學腐蝕法試驗

    半導體晶體的內在質量、晶體缺陷、雜質濃度等直接關系到外延層和器件的質量及成品率。準確地顯示出晶體缺陷、研究其形成機理和控制及消除技術對制備高質量晶體是非常重要的。單晶定向主要研究了用化學腐蝕的方法顯示藍寶石單晶的位錯缺陷的條件,為提高晶體質
    發布時間:2019-11-25   點擊次數:5

  • 藍寶石晶體定向用KOH進行化學腐蝕

    藍寶石性質穩定,常溫條件下難與酸、堿反應。但在高溫條件下用熔融的KOH會對藍寶石單晶產生化學腐蝕。不同腐蝕時間的腐蝕結果的密度為3.98g/cm3。其化學性能非常穩定,一般不溶于水,不受酸、堿腐蝕。藍寶石的硬度很高,為莫氏硬度9級,僅次于最
    發布時間:2019-11-18   點擊次數:7

  • 化學腐蝕法研究藍寶石晶體定向中的位錯缺陷

    為了適應工業化藍寶石晶體定向的需求目前采用人工方法制備藍寶石晶體則成為獲得大直徑、高完整性和按要求晶面生長單晶的主要方法。藍寶石晶體的生長方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、導膜法(EFG法)、感應溫場上移法(1FUS法)
    發布時間:2019-11-11   點擊次數:2

  • 單晶材料藍寶石單晶中的位錯缺陷

    近年來寬禁帶(Eg>2.3V)半導體材料發展十分迅速,稱為第三代電子材料。主要包括SiC、金剛石、GaN等。同一、二代電子材料相比,第三代電子材料具有禁帶寬度大,電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好等特點,單晶材料非常適用于制作抗輻射
    發布時間:2019-11-04   點擊次數:23

  • 硅單晶定向實際生產中晶體中氧濃度參數調整

    在硅單晶的實際生產中,就晶體中氧濃度而言有人建議采用數種方法,以處理生長期間晶體固化速率或生長長度的問題,所述方法包括對坩堝旋轉速度、爐內壓力、大氣流速、靜磁場應用或其數個參數(以下稱作操作參數)組合的調整。可通過調整操作參數來調整晶體內的
    發布時間:2019-10-28   點擊次數:16

  • 硅單晶定向中晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題

    硅晶片內的氧通過捕捉在裝置生產過程中混入晶片內的污染原子(內在的吸氣作用)而具有改良器件特性的作用。所以,應將晶體定徑部分(crystalfixeddiameterpart)整個區域內硅單晶中的氧濃度限制在給定的范圍內。混入硅單晶內的
    發布時間:2019-10-21   點擊次數:21

  • X射線定向儀單晶定向原理是什么?

    x射線的波長和晶體內部原子面之間的間距相近,晶體可以作為X射線的空間衍射光柵,即一束X射線照射到物體上時,受到物體中原子的散射,每個原子都產生散射波,這些波互相干涉,結果就產生衍射。衍射波疊加的結果使射線的強度在某些方向上加強,在其他方向上
    發布時間:2019-10-15   點擊次數:60

  • 硅單晶定向中的單晶硅與多晶硅的區別

    硅是地球上儲藏豐富的材料之一,從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料,因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用多
    發布時間:2019-10-08   點擊次數:23

  • 丹東新東方晶體儀器有限公司祝十一快樂

    丹東新東方晶體儀器有限公司成立于1993年,是一家專注于生產X射線定向儀的專業企業。自公司成立20年以來,為單晶材料生長、加工企業提供了數千臺定向儀器,積累了豐富的生產、服務經驗。產品出口到臺灣、韓國、日本、俄羅斯等地區。在藍寶石晶體加工行
    發布時間:2019-10-01   點擊次數:54

  • 觀測硅單晶定向晶體中缺陷的實驗方法

    目前用來觀測硅單晶定向中缺陷的實驗方法很多,金相腐蝕法就是其中一種,這種方法操作簡單,直觀,是晶體缺陷觀察的有力工具。晶體中的缺陷一般僅涉及幾層原子的排列畸變,因此用普通顯微鏡不能直接觀察到它們,更不能發現晶體內部的缺陷。但由于缺陷附近的畸
    發布時間:2019-09-23   點擊次數:40

  • 硅單晶定向中的層錯

    硅單晶定向中一個完整的晶體可以理解為許多平行晶面以一定方式堆積而成。當這種正常的堆積方式被破壞時,使在晶體中造成一層缺陷。在外延生長過程中,由于襯底上某處,或者在拋光過程中產生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗過程留下的污點等會使該處原子
    發布時間:2019-09-16   點擊次數:16

  • 硅單晶定向中硅材料的位錯

    在實際應用的硅單晶定向材料的晶格中,總是存在著偏離理想情況的各種復雜現象。存在著各種形式的缺陷。按著缺陷,晶體空間分布尺寸的情況可以分為點缺陷、線缺陷、面缺陷等,這里主要討論硅單晶體中的位錯和硅外延片中的層錯。??位錯是硅單晶中主要的一部分
    發布時間:2019-09-10   點擊次數:57

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