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  • 化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

    從實驗可知,用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好,得到的腐蝕圖像清晰、準確。且最佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來,單晶材料晶體生
    發布時間:2019-12-09   點擊次數:12

  • 單晶定向用NaOH對藍寶石進行化學腐蝕法試驗

    半導體晶體的內在質量、晶體缺陷、雜質濃度等直接關系到外延層和器件的質量及成品率。準確地顯示出晶體缺陷、研究其形成機理和控制及消除技術對制備高質量晶體是非常重要的。單晶定向主要研究了用化學腐蝕的方法顯示藍寶石單晶的位錯缺陷的條件,為提高晶體質
    發布時間:2019-11-25   點擊次數:9

  • 化學腐蝕法研究藍寶石晶體定向中的位錯缺陷

    為了適應工業化藍寶石晶體定向的需求目前采用人工方法制備藍寶石晶體則成為獲得大直徑、高完整性和按要求晶面生長單晶的主要方法。藍寶石晶體的生長方法主要有:熔焰法Verneuil、提拉法(CZ法)、導膜法(EFG法)、感應溫場上移法(1FUS法)
    發布時間:2019-11-11   點擊次數:5

  • 硅單晶定向中晶體上拉方向氧濃度不均勻的問題

    硅晶片內的氧通過捕捉在裝置生產過程中混入晶片內的污染原子(內在的吸氣作用)而具有改良器件特性的作用。所以,應將晶體定徑部分(crystalfixeddiameterpart)整個區域內硅單晶中的氧濃度限制在給定的范圍內。混入硅單晶內的
    發布時間:2019-10-21   點擊次數:25

  • X射線定向儀單晶定向原理是什么?

    x射線的波長和晶體內部原子面之間的間距相近,晶體可以作為X射線的空間衍射光柵,即一束X射線照射到物體上時,受到物體中原子的散射,每個原子都產生散射波,這些波互相干涉,結果就產生衍射。衍射波疊加的結果使射線的強度在某些方向上加強,在其他方向上
    發布時間:2019-10-15   點擊次數:67

  • 硅單晶定向中的單晶硅與多晶硅的區別

    硅是地球上儲藏豐富的材料之一,從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料,因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用多
    發布時間:2019-10-08   點擊次數:27

  • 丹東新東方晶體儀器有限公司祝十一快樂

    丹東新東方晶體儀器有限公司成立于1993年,是一家專注于生產X射線定向儀的專業企業。自公司成立20年以來,為單晶材料生長、加工企業提供了數千臺定向儀器,積累了豐富的生產、服務經驗。產品出口到臺灣、韓國、日本、俄羅斯等地區。在藍寶石晶體加工行
    發布時間:2019-10-01   點擊次數:57

  • 觀測硅單晶定向晶體中缺陷的實驗方法

    目前用來觀測硅單晶定向中缺陷的實驗方法很多,金相腐蝕法就是其中一種,這種方法操作簡單,直觀,是晶體缺陷觀察的有力工具。晶體中的缺陷一般僅涉及幾層原子的排列畸變,因此用普通顯微鏡不能直接觀察到它們,更不能發現晶體內部的缺陷。但由于缺陷附近的畸
    發布時間:2019-09-23   點擊次數:46

  • 硅單晶定向中的層錯

    硅單晶定向中一個完整的晶體可以理解為許多平行晶面以一定方式堆積而成。當這種正常的堆積方式被破壞時,使在晶體中造成一層缺陷。在外延生長過程中,由于襯底上某處,或者在拋光過程中產生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗過程留下的污點等會使該處原子
    發布時間:2019-09-16   點擊次數:16

  • 用金相腐蝕法進行激光單晶定向

    在進行金相腐蝕之前,應先將晶體端面用80#金剛砂在平板玻璃上濕磨,使在端面上解理出無數微小的解理坑,洗凈后,按指定的腐蝕工藝條件進行腐蝕。硅單晶定向實驗用的單晶材料,在5%的NaOH水溶液中沸騰煮7分鐘.經過金相腐蝕的硅單晶晶面,腐蝕坑底的
    發布時間:2019-08-29   點擊次數:37

  • 碳化硅定向主要應用領域

    碳化硅主要用于功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應,不能算高新技術產品,而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。⑴作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。⑵作為冶金脫氧劑和耐高溫材
    發布時間:2019-08-12   點擊次數:57

  • 硅單晶定向測量原理

      晶體定向是由與晶粒的形狀和晶格所確定的晶向有關的晶體的各幾何方向間的聯系來確定的。硅單晶定向測量的方法很多,但相比之下,光學方法更具有特點。它使用起來簡單、定向準確、可靠,能夠處理任何半導體應用中的定向測量問題。   用作定向測量的光學
    發布時間:2019-08-01   點擊次數:82

  • 碳化硅定向的晶體定型的切割方法

    碳化硅晶體是第三代寬帶隙半導體材料,和一代硅、二代砷化鎵半導體材料相比,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、電子飽和漂移速率高、電子遷移率高、介電常數小、抗輻射性能強、化學穩定性好等優良的物理化學性質,以及與硅集成電路工藝兼容等特點,優良
    發布時間:2019-07-18   點擊次數:92

  • 單晶材料碳化硅的高溫化學氣相沉積制備方法

    通常半導體材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,單晶材料晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達
    發布時間:2019-07-16   點擊次數:71

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