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  • [技術中心] 半導體碳化硅單晶材料的發展

    單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗
    發布時間:2016-02-16   點擊次數:160

  • [技術中心] 半導體碳化硅單晶材料的發展

    結合單晶材料X射線應力測定基本原理,通過必要的理論分析,對現有單晶應力測定方法進行必要的改進和優化。基于工程實際應用需要,精簡了單晶應力測定步驟并拓寬其應用范圍,即不需要事先已知2θ0,
    發布時間:2017-05-22   點擊次數:240

  • [公司新聞] 半導體碳化硅單晶材料的發展

    這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單
    發布時間:2016-08-05   點擊次數:202

  • [公司新聞] 半導體碳化硅單晶材料的發展

     單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不
    發布時間:2016-11-29   點擊次數:156

  • [公司新聞] 碳化硅的物質特性

    碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁,可提高其耐磨性而延長使用壽命1~2倍;用以制成的耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強度
    發布時間:2017-10-26   點擊次數:87

  • [技術中心] 碳化硅定向主要應用領域

    碳化硅主要用于功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應,不能算高新技術產品,而技術含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時間不可能形成規模經濟。⑴作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。⑵作為冶金脫氧劑和耐高溫材
    發布時間:2019-08-12   點擊次數:89

  • [公司新聞] 碳化硅定向如何提高多線切割機的切割效率

    為了提高多線切割機的切割效率,多線切割機分段切割碳化硅晶體的方法,該方法是根據所切割過程中晶體柱截面不同位置對應的切割長度的不同,變化切割速度,將工作臺的勻速進給切割改為連續、分段不同速度進給,從而保證切割質量的前提下提高了切割效率。鑒于現
    發布時間:2019-07-23   點擊次數:60

  • [技術中心] 單晶材料碳化硅的高溫化學氣相沉積制備方法

    通常半導體材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,單晶材料晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達
    發布時間:2019-07-16   點擊次數:141

  • [展會信息] 【成員風采】丹東新東方晶體儀器有限公司參展首屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(APCSCRM2018)展會

    丹東新東方晶體儀器有限公司是從事X-RAY晶體定向及測試設備研發的民營高科技企業。目前公司主要產品是用于各種晶體定向及缺陷檢測的X-RAY晶體定向及檢測設備,年生產能力200臺套/年。產品現已出口十余個國家和地區。丹東新東方晶體
    發布時間:2018-08-07   點擊次數:350

  • [技術中心] 碳化硅定向的晶體定型的切割方法

    碳化硅晶體是第三代寬帶隙半導體材料,和一代硅、二代砷化鎵半導體材料相比,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、電子飽和漂移速率高、電子遷移率高、介電常數小、抗輻射性能強、化學穩定性好等優良的物理化學性質,以及與硅集成電路工藝兼容等特點,優良
    發布時間:2019-07-18   點擊次數:174

  • [技術中心] 半導體碳化硅單晶材料的結構和性質

    以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體單晶材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射
    發布時間:2019-04-26   點擊次數:77

  • [技術中心] 多孔碳化硅定向陶瓷的無模高溫結晶制備工藝

    多孔陶瓷是一種含有一定量孔隙的非金屬固體粉末燒結體,用途十分廣泛。定向多孔碳化硅陶瓷是多孔陶瓷中的一種,因具有高過濾效率和高分離效率及優異的光電性能而備受關注。良好的碳化硅粉末堆積密度是制備高質量碳化硅陶瓷基礎之一,本文引入土力土質學中關于
    發布時間:2020-02-10   點擊次數:12

  • [公司新聞] 半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。以硅(S
    發布時間:2020-03-04   點擊次數:21

  • [技術中心] 半導體碳化硅單晶材料如何被獲得的

    SiC是最早發現的半導體材料之一,自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來,SiC單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年,Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放
    發布時間:2020-03-12   點擊次數:4

  • [公司新聞] 碳化硅單晶的結構和性質

    SiC晶體結構具有同質多型的特點,其基本結構是Si-C四面體結構,它是由四個Si原子形成的四面體包圍一個碳原子組成,按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍,屬于密堆積結構。SiC多型晶體的晶格常數a可以看作常數,而晶格常數c不同
    發布時間:2020-03-17   點擊次數:6

  • [技術中心] 碳化硅物理氣相傳輸法

    PVT法生長SiC單晶材料一般采用感應加熱方式,在真空下或惰性氣體氣氛保護的石墨坩堝中,以高純SiC粉為原料,在一定的溫度和壓力下,固態SiC粉在高溫下發生分解升華,生成具有一定結構形態的氣相組分SimCn,由于石墨坩堝反應腔軸向存在著溫度
    發布時間:2020-03-24   點擊次數:7

  • [公司新聞] 半導體碳化硅單晶高溫化學氣相沉積法

    通常半導體單晶材料的晶錠生長是采用元素半導體或化合物半導體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動力學原因,固態SiC只有在壓強超過1×105atm、溫度超過3200℃時才會熔化。目前,晶體生長實驗室及工廠所擁有的技術手段還無法達到這
    發布時間:2020-04-04   點擊次數:4

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